第(2/3)頁

    “估計(jì)等到第一批調(diào)試出來后就要官宣，我的升級(jí)也可以提上日程了吧，反正都已經(jīng)到自家地盤上了，老板你自己過來幫我升級(jí)嘛。”

    林詩琴用嗲嗲的聲音討好似的說到。

    “蓬來本來就組裝了euv的配套生產(chǎn)線啊，你自己造就是了，不要問我?！?

    王易有些無語。

    鏡片可以說是他最早開始起家的地方，連魔力核聚變的原理都是從研究鏡片時(shí)找到的。

    duv光刻機(jī)可以說只是‘試試水’的產(chǎn)品。

    為啥一直用干式的光刻法？

    其實(shí)就是因?yàn)閑uv光刻機(jī)是無法使用浸潤法的，甚至euv光刻機(jī)還不能用傳統(tǒng)的干式，而是要用‘真空’環(huán)境。

    因?yàn)闃O紫外線已經(jīng)是電離輻射，足夠?qū)⒖諝怆婋x了，更別說液體。

    這種情況下大本營之外的當(dāng)然還是duv，但蓬來上本來就是王易親自打造的鏡片配套的euv光刻體系。

    結(jié)構(gòu)上和以前的duv都還相當(dāng)類似，完全成熟的技術(shù)。

    不像阿斯麥的euv光刻機(jī)因?yàn)闆]有可以讓極紫外線通過的鏡頭，需要使用反射，能量損失極為嚴(yán)重，每次反射都要浪費(fèi)30%左右，最終只有2%的利用率。

    體積增大的同時(shí)光源的高功率還需要配套冷卻系統(tǒng)，幾乎是相當(dāng)于完全新開一條賽道了。

    所以其實(shí)王易這邊的euv光刻機(jī)出來的還要更早，而且效率和良品率也要遠(yuǎn)超！

    “可是他們也有euv了呀，硅基芯片的物理極限都快到了，老板，人家要升級(jí)嘛~”

    林詩琴的話也讓王易有些無語。

    她應(yīng)該能夠知道，王易在量子計(jì)算的提升上對(duì)她是有一定限制的。

    畢竟量子計(jì)算的算力指數(shù)加成，配合王易的新公式算法，很容易導(dǎo)致失控。

    但經(jīng)典計(jì)算機(jī)的算力提升，王易肯定還是不會(huì)給她什么制約的。

    euv光刻機(jī)，分辨率遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了duv光刻機(jī)。

    采用的是13.5nm波長，已經(jīng)接近x射線的極紫外線，

    理論上已經(jīng)能達(dá)到硅基芯片的極限！

    要知道單個(gè)的硅原子也就是0.12nm，還要考慮電子隧穿效應(yīng)，所以目前正常的觀點(diǎn)中，1nm差不多就是硅基芯片的極限了。

    當(dāng)然，當(dāng)初20nm的時(shí)候隧穿效應(yīng)就已經(jīng)出現(xiàn)，通過結(jié)構(gòu)調(diào)整解決的，說不定等到1nm工藝后又找到了解決辦法。

    可即便這樣，0.12nm的硅原子大小也擺在這里，總不可能把原子分開。

    這種情況下，所需要考慮的要么就是通過疊加芯片數(shù)目來增加晶體管數(shù)，采取新架構(gòu)和新的方式，要么就要考慮其他材料了。

    比如碳基就是一個(gè)方向，但碳基有待解決的問題太多了，麻煩還很多。

    而除此之外，還有另外一種材料，同等密度下算力能夠超過硅基數(shù)百倍！
    第(2/3)頁